HUA XUAN YANG ELECTRONIC RS2BF
" (5737)华轩扬HXY 2SC5658 NPN塑封晶体管
本资料介绍了华轩阳电子有限公司生产的2SC5658型NPN塑封晶体管。该晶体管具有集电极功耗100mW、集电极电流150mA等特性，适用于多种电子电路。
华轩阳 HXY SLVU2.8-4L 静电放电保护二极管
该资料介绍了SLVU2.8-4L静电保护二极管的产品特性、电气特性、封装信息以及注意事项。该二极管用于保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）和其他电压诱导瞬态事件的影响，具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间。
S2BF GENERAL PURPOSE RECTIFIER DIODE
华轩阳 HXY 2DC2412R-7 NPN 塑料封装晶体管
本资料介绍了华轩阳电子公司生产的2DC2412R-7型号NPN塑封晶体管。资料详细描述了该产品的特性、电气参数、封装尺寸以及注意事项。
华轩阳 HXY FDS4935BZ 双P沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了华轩阳电子公司生产的FDS4935BZ双P沟道增强型MOSFET。该产品采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用，包括PWM应用。资料中包含了产品的描述、特性、电气特性、典型性能特性、封装尺寸和注意事项。
华轩阳 HXY DMP3036SSD 双P沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了华轩阳电子公司生产的DMP3036SSD双P沟道增强型MOSFET。该产品采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用，包括PWM应用。资料中包含了产品的描述、特性、电气特性、典型性能特性、封装尺寸和注意事项。
华轩阳HXY SM4807PRL双P沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了华轩阳电子公司生产的SM4807PRL双通道增强型MOSFET。该产品采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用，包括PWM应用和负载开关。
华轩阳 HXY FDS6912A 双N沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了华轩阳电子公司生产的FDS6912A双通道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至2.5V）的特点，适用于电池保护和开关应用。
RS2B(FR2B) FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
华轩阳HXY MMBTA06LT1G塑封晶体管
本资料介绍了华轩阳电子公司生产的MMBTA06LT1G型NPN塑封晶体管。该晶体管适用于开关和放大器应用，具有互补型PNP晶体管MMBTA56。资料中详细列出了该产品的最大额定值、电气特性、典型特性、封装尺寸和注意事项。
华轩阳 HXY FDS6990AS 双N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了华轩阳电子公司生产的FDS6990AS双通道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至2.5V）的特点，适用于电池保护和开关应用。
DS18B20 PcbLib & SchLib & IntLib
NE555 PcbLib & SchLib & IntLib
74HC573 PcbLib & SchLib & IntLib
PESD5V0F1BL PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
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Brand：HUA XUAN YANG ELECTRONIC
Category：N-SGT Enhancement Mode MOSFET
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